日本 HITACHI S-3000N

1.  Accelerating voltage: 0.3 - 30 kV 

2. Lamp silk: Tungsten wire 

3. Resolving power: 3.0 nm 

4. Magnification: 15 – 300,000 

5. Image capture: CCD-Camera 

6. EDS (EMAX Evolution X-Max) 

收費原則
HITACHI S-3000N
費用項目 單價(校內) / 單價(校外,無合作計劃)
儀器使用費 300元 (小時) / 600元 (小時)

 檢體製備要求：
 1.樣品請置於直徑26 mm的鋁台上
 2.為維持真空度，樣品不得有在電子束照射下會分解、釋放氣體或成為液體之特性。
 3.為避免造成損壞，本儀器拒絕受理具強磁性、磁性(如鐵、鈷、鎳等)或易被電磁透鏡吸引的粉末型式樣品或材料。
 4.為避免造成損壞，本儀器拒絕受理含有毒性、腐蝕性、揮發性、低熔點之樣品。
 5.為避免儀器電腦中毒，請使用光碟燒錄電子檔。 

日本 JEOL JSM-7500F

1. Accelerating voltage: 0.3 - 30 kV 

2. Lamp silk: W(310) cold field emission 

3. Resolving power: 1.0 nm 

4. Magnification: 25 – 1,000,000 

5. Image capture: CCD-Camera 

6. EDS (OXFORD INCA X-ACT)
7. Deben Centaurus Backscatter Detector.

收費原則
JEOL JSM-7500F
費用項目:                            單價(校內)     /  單價(校外,無合作計劃)
未使用元素分析功能:        800元 (小時) / 1600元 (小時)
使用元素分析功能:           1000元 (小時) / 2000元 (小時) 

 檢體製備要求：
 1.樣品請置於直徑26 mm的鋁台上
 2.為維持真空度，樣品不得有在電子束照射下會分解、釋放氣體或成為液體之特性。
 3.為避免造成損壞，本儀器拒絕受理具強磁性、磁性(如鐵、鈷、鎳等)或易被電磁透鏡吸引的粉末型式樣品或材料。
 4.為避免造成損壞，本儀器拒絕受理含有毒性、腐蝕性、揮發性、低熔點之樣品。
 5.為避免儀器電腦中毒，請使用光碟燒錄電子檔。